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    DECTRIS

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      빠르고 민감한 하이브리드 Detector
      진보된 EELS, 4D STEM 데이터 수집

      데드타임 없는 판독 기능 덕분에 시료가 제공할 수 있는 모든 정보를 수집합니다.

      높은 프레임 및 카운트 속도를 통해 실험 시간을 크게 단축하고 장비 처리량을 증가시킵니다.

      애플리케이션 프로그래밍 인터페이스(API)는 모든 데이터 파이프라인 또는 전자 현미경 시스템에 손쉽게 통합할 수 있게 합니다.

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    상세설명
    • DECTRIS ELA® 전자 계수 검출기는 검출기 노이즈, 프레임 속도, 동적 범위 측면에서 동급 최고의 성능을 제공합니다.
      100 pA를 훨씬 초과하는 프로브 전류를 처리할 수 있으며, 약한 반사와 강한 반사를 동시에 포착하여 고급 회절 및 이미징 연구를 가능하게 합니다. 또한 한 번에 빠른 원소 매핑이 가능하여, 특히 빔에 민감한 물질을 다룰 때 뛰어납니다.

      ELA 하이브리드 픽셀 검출기는 전자 에너지 손실 분광법(EELS) 및 4차원 스캐닝 투과 전자 현미경(4D STEM)에 특화되어 최적화되었습니다.

    스펙비교
    • Models & Specification
      Items ARINA ELA SINGLA QUADRO
      Model ARINA ELA SINGLA QUADRO
      Frame rate (Max) 120,000 Hz(fps) 2,250 Hz at 16 bits
      4,500 Hz at 8 bits
      18,000 Hz with ROI mode
      2,250 Hz at 16 bits
      4,500 Hz at 8 bits
      2,250 Hz at 16 bits
      4,500 Hz at 8 bits
      9,000 Hz at 16 bits/ROI mode
      18,000 Hz at 8 bits/ROI mode
      Count rate (Max) 108 el/s/pixel 107 el/s/pixel
      Count rate capability > 1 pA/pixel
      107 el/s/pixel 107 el/s/pixel
      Number of pixels 192×192 1,028×512 1,028×1,062 512×512
      Pixel size [μ㎡] 100×100 μ㎡ 75×75 μ㎡ 75×75 μ㎡ 75×75 μ㎡
      Active area 20×20 mm 77.1×38.4 mm 77.1×77.1 mm 38.4×38.4 mm
      Sensor material Silicon (Si) or high-Z(CZT, CdZnTe) Silicon Silicon(450μm) or GaAs Silicon
      Dynamic range 12 bit 16 bit 16 bit 16 bit
      Energy range 1) 30-200 keV (Si)
      2) 200-300 keV (CZT)
      30-300 keV 30-200 keV 30-300 keV
      Detective quantum efficiency,
      DQE(0)
      Silicon (Si): 0.78 at 100 kV, 0.67 at 200 kV
      high-Z: 0.70 at 200 kV, 0.75 at 300 kV
      0.81 at 100 keV
      0.85 at 200 keV
      0.98 at 100 keV
      0.90 at 200 keV
      0.81 at 100 keV
      0.85 at 200 keV
      Detector mounting Retractable on-axis Bottom-mounted, on-axis Bottom-mounted, on-axis
      OEM compatibility Jeol, TFS, Hitachi Nion, CEOS, Gatan Jeol, TFS, Hitachi Jeol, TFS, Hitachi, Tescan