신속 · 정밀 - DECTRIS ARINA는 120kHz의 프레임 속도에서 최대 10pA/픽셀까지 모든 전자를 계수할 수 있습니다.
범용성 - Si 및 high-Z 센서 소재를 사용하여 30~300keV의 광범위한 에너지를 커버합니다.
역량 강화 - 연관 부서에서 동일한 설정을 활용할 수 있도록 지원합니다.
제조사 바로가기DECTRIS ARINA® 수축형 전자 계수 검출기는 4D STEM 응용을 위해 특별히 개발되었습니다. 새로운 ASIC을 탑재하여 초당 최대 120,000 프레임의 극한 속도와 높은 동적 범위, 노이즈 없는 판독을 결합함으로써 기존 STEM 측정 속도에서 고품질 데이터 획득을 가능하게 합니다.
DECTRIS의 하이브리드 픽셀 기술 덕분에 ARINA는 다양한 센서를 활용할 수 있으며 30-300 keV의 에너지 범위에서 최적의 성능을 발휘합니다.
DECTRIS ARINA는 10 μs 미만의 체류 시간을 가진 광범위한 4D STEM 응용 분야에 적합합니다. 결정상 및 배향 매핑부터 ptychography에 이르기까지, 가상 검출기를 통한 유연한 STEM 이미지 재구성을 포함합니다.
| Items |  |
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| Model | ARINA | ELA | SINGLA | QUADRO |
| Frame rate (Max) | 120,000 Hz(fps) | 2,250 Hz at 16 bits 4,500 Hz at 8 bits 18,000 Hz with ROI mode |
2,250 Hz at 16 bits 4,500 Hz at 8 bits |
2,250 Hz at 16 bits 4,500 Hz at 8 bits 9,000 Hz at 16 bits/ROI mode 18,000 Hz at 8 bits/ROI mode |
| Count rate (Max) | 108 el/s/pixel | 107 el/s/pixel Count rate capability ＞ 1 pA/pixel |
107 el/s/pixel | 107 el/s/pixel |
| Number of pixels | 192×192 | 1,028×512 | 1,028×1,062 | 512×512 |
| Pixel size [μ㎡] | 100×100 μ㎡ | 75×75 μ㎡ | 75×75 μ㎡ | 75×75 μ㎡ |
| Active area | 20×20 mm | 77.1×38.4 mm | 77.1×77.1 mm | 38.4×38.4 mm |
| Sensor material | Silicon (Si) or high-Z(CZT, CdZnTe) | Silicon | Silicon(450μm) or GaAs | Silicon |
| Dynamic range | 12 bit | 16 bit | 16 bit | 16 bit |
| Energy range | 1) 30-200 keV (Si) 2) 200-300 keV (CZT) |
30-300 keV | 30-200 keV | 30-300 keV |
| Detective quantum efficiency, DQE(0) |
Silicon (Si): 0.78 at 100 kV, 0.67 at 200 kV high-Z: 0.70 at 200 kV, 0.75 at 300 kV |
0.81 at 100 keV 0.85 at 200 keV |
0.98 at 100 keV 0.90 at 200 keV |
0.81 at 100 keV 0.85 at 200 keV |
| Detector mounting | Retractable | on-axis | Bottom-mounted, on-axis | Bottom-mounted, on-axis |
| OEM compatibility | Jeol, TFS, Hitachi | Nion, CEOS, Gatan | Jeol, TFS, Hitachi | Jeol, TFS, Hitachi, Tescan |
